半导体技术杂志近十年出版发文量:
半导体技术杂志论文格式要求
书写格式
♦ 题目要求不超过20字。
♦ 署名作者及所在单位:提供中英文的单位全称、所在城市和邮政编码,作者人数不超过7人。
♦ 中英文摘要:摘要宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论,中文250字左右。
♦ 关键词:中英文5~8个。
♦ 中图分类号:采用中国图书分类法(第五版进行分类)。
♦ 基金项目:在首页页脚标注项目名称和批准号。
♦ 缩略词和物理量:正文部分英文缩略词第一次出现时须写出中英文全称;物理量符号须分清大小写、正斜体、上下角,第一次出现该符号时需给出其含义。
♦ 图、表和公式:按在论文中出现的先后顺序编号并排在正文相应位置,在图下面标注图题、图注。有分图时分图用(a)(b)(c)等标识并给出中文分图题,插图最好用矢量图格式。表格应简明,宜用三线表,图和表里的文字用中文。图表以不小于50 mm×70 mm 为宜,照片须清晰,分辨率不低于600 dpi。图、表中出现的物理量名称和符号须与正文一致,不要出现正文中没有提及或与正文内容无关的文字或符号。公式在文章中以阿拉伯数字连续编号,需用Mathtype公式编辑器编辑。
♦ 参考文献:按在正文中出现的顺序编号,用方括号标于引文处右上角,并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料,应符合GB/T 7714—2015文献著录规则,著录项目齐全。
⇒ 期刊格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 文章题目(英文首字母大写)[J]. 刊名(每个英文单词首字母大写),发表年份,卷(期):起止页码.
⇒ 书籍格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 书名(英文首字母大写)[M]. 出版地:出版社,出版年份:参考起止页码.
⇒ 会议论文集格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 文章题目(英文首字母大写)[C] // 会议名称. 会议召开的城市,国别,年份:起止页码.
♦ 作者简介(含导师简介):姓名(出生年—),性别,籍贯(出生地,如:河北石家庄人),学历,职称,从事专业或研究方向。
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