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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES SCISCIE

电子器件汇刊

0018-9383

工程技术

Monthly

No

1557-9646

IEEE T ELECTRON DEV

759

UNITED STATES

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16

约4.7个月审稿时间

3区中科院分区

较易平均录用比例

2.704影响因子

工程:电子与电气小学科

SCI三剑客

中文简介

IEEE《电子器件学报》发表了有关电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性方面的原创和重大贡献。

https://mc.manuscriptcentral.com/ted

英文简介

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects.

中科院分区(数据版本:2021年12月最新升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区

JCR分区

JCR分区等级 JCR所属学科 分区 影响因子
Q2 PHYSICS, APPLIED Q2 3.221
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q2

CiteScore数值

CiteScore SJR SNIP 学科类别 分区 排名 百分位
5.30 0.695 1.364 大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 183 / 708

74%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 69 / 259

73%

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常见问题
Q&A
第一作者是论文的主要完成者,一般是本文工作中贡献最大的研究人员,此作者不仅有最多和最重要的图表 (即体力上的
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影响因子趋势图

H-index

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3.221 165 2.78% 99.65% 未开放 约4.7个月

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